Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0494U001005, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 17-05-1994 Статус Запланована Назва роботи Процессы эпитаксального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик Здобувач Нгуен Суан Нгиа, Керівник Нгуен Тхань Нги Керівник Зарубин Л.И. Опонент Войтович И.Д. Опонент Конакова Р.В. Опис Объект исследования: Эпитаксальные пленки. Цель исследования: Изучение влияния технологических факторов. Методы исследования и аппаратура: Электронная и оптическая микроскопия, эффект Холла, электропроводность. Теоретические результаты и новизна: Установлены зависимости качества пленок от технологических условий. Практические результаты и новизна: Некоторые результаты используются на практике. Сфера (область) использования: Технологические предприятия. Дата реєстрації 1994-05-17 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити
Дисертація кандидатська
Процессы эпитаксального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик
Нгуен Суан Нгиа. Процессы эпитаксального выращивания легированных структур на основе соединений А3В5 и исследование их характеристик : к.т.н. : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 1994-05-17; Статус: Захищена; Институт физики полупроводников НАН Украины. – , 0494U001005.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16


Роздрукувати цю сторінку