Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0495U002634, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 11-01-1994 Статус Запланована Назва роботи Изменение физических параметров диодных структур на базе ZnS и CdS, индуцированных рентгеновским облучением Здобувач Тютько Игорь Олегович, Керівник Павлик Б.В. Опонент Лискович О.Б. Опонент Лихобабин М.П. Опис Объект исследования: Поверхностно-барьерные диоды на базе монокристаллических сульфидов цинка и кадмия. Цель исследования: Установить закономерности изменений в приконтактных областях диодов Au-ZnS и Au-CdS вследствие рентгеновского облучения. Методы исследования и аппаратура: Вольт-амперные характеристики, полная проводимость, модуляционная емкостная спектроскопия, спектрометр ГУ 7-1, ДРОН. Теоретические результаты и новизна: Установлено влияние мелких доноров области барьерного контакта на адмитанс диодов (надл.емкость порядка выходной). Практические результаты и новизна: Предложен метод улучшения рабочих параметров диодов с помощью малых доз рентгеновского облучения. Предмет и степень внедрения: Планируется создание высококачественных светодиодов и УФ-датчиков. Сфера (область) использования: Материаловедение, физика полупроводниковых приборов. Дата реєстрації 1994-01-11 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити