Search academic texts

Information × Registration Number 0496U000801, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 27-05-1996 popup.evolution o Title Author Сайко Сергей Васильевич, popup.head Островский И.В. popup.opponent Локтев В.М. popup.opponent Олих Я.М. Description Объект исследования: Эпитаксиальные структуры GaAS. Цель исследования: Определение параметров глубоких уровней в эпитаксиальных структурах GaAS. Методы исследования и аппаратура: Нестационарная акустоэлектрическая и акустооптическая спектроскопия глубоких уровней, C-V измерения. Теоретические результаты и новизна: Расчитано время жизни неравновесных носителейзаряда, захваченных на подзону поверхностных электронных состояний. Практические результаты и новизна: предложено новую неразрушающую методику исследования дефектов структуры в эпитаксиальных полупроводниках. Предмет и степень внедрения: Методика иссследования дефектов, степень - высокая. Эффективность внедрения: позвояет исследовать дефекты структуры в п/п структурах без разрушения образцов. Сфера (область) использования: Информационные технологии. Registration Date 1996-05-27 popup.nrat_date 2020-05-17 Close