Реєстраційний номер
0496U003208, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
20-02-1997
Статус
Захищена
Назва роботи
Явления переноса и динамика решетки при фазовых переходах в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа Sn2P2S6
Здобувач
Бокотей Александр Александрович,
Керівник Высочанский Ю.М.
Опонент Герзанич Е.И.
Опонент Влох Р.О.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Черновицкий госудаственный университет им. Ю.Федьковича
Опис
Объект исследования: Кристаллы типа Sn2P2S6 и твердые растворы на их основании. Цель исследования: Изучить температурную зависимость теплопроводности, электропроводности и комбинационного рассеяния света фононами в кристаллах системы Sn(Pb)2P2S(Se)6. Методы исследования и аппаратура: Методы стационарного продольного теплоалого потока (установка ТАУ-2), спектроскопия комбинационного рассеяния света /ДФС-24/. Теоретические результаты и новизна: Установлена взаимосвязь аномалий кинетических, термодинамических и динамических свойств кристаллов в окресности структурного фазового перехода. Практические результаты и новизна: Получены электродинамические и теплофизические характеристики сегнетоэлектрических кристаллов будут использованы при разработке пиро- и пьезоэлектрических элементов. Предмет и степень внедрения: Пироэлектрические и пьезоэлектрические элементы, емкостные термометры. Сфера (область) использования: Твердотельная полупроводниковая электроника.
Дата реєстрації
1998-10-07
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-18 / 2026-06-30
