Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0497U000489, Кандидатська дисертація На здобуття Дата захисту 27-02-1997 Статус Запланована Назва роботи Исследование оптических свойств структур полупроводник - поверхностная фаза методом многоугловой эллипсометрии Здобувач Забашта Любовь Анатольевна, Керівник Дмитрук Н.Л. Опонент Поперенко Л.В. Опонент Олемской А.И. Опис Объект исследования: Полупроводниковые соединения (GaAs, InP, CdTe, легированная золотом поверхность GaAs), диэлектрическое покрытие. Цель исследования: Исследование птических свойств структур полупроводник - поверхностная фаза с использованием новых подходдов к решению обратной задачи эллипсометрии. Методы исследования и аппаратура: Метод многоугловой эллипсометрии (эллипсометр ЛЭФ_3М), электронная микроскопия (электроный микроскоп УЭМВ-100А). Теоретические результаты и новизна: Разработана методика математической обработки эллипсометрических данных в методе многоугловых измерений на основе впервые предложенной корректной постановки братной задачи эллипсометрии в соотвтствии с принципом регуляризации А.Н.Тихонова. Практические результаты и новизна: впервые методом эллипсометрии проведено исследование свойства полупроводника GaAs. Определена размерная зависимость динамической поляризуемости островков Au на поверхность GaAs. Предмет и степень внедрения: Пакет программ рещшения обратной задачи эллипсометрии. Эффективность внедрения: Совершенствование метода эллипсометрии. Сфера (область) использования: Для совершенствования и контроля технологических процессов создания п3п структур. Дата реєстрації 1997-02-27 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити