Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0497U004334, Кандидатська дисертація На здобуття Дата захисту 12-03-1997 Статус Запланована Назва роботи Исследование анизотропии тензорезистивных эффектов в сильно деформированных кристаллах Ge и Si Здобувач Горин Андрей Евгеньевич, Керівник Коломоец В.В. Опонент Буджак Я.С. Опонент Савчын В.П. Опис Объект исследования: Закономерности и механизмы кинетических явлений, обусловленных анизотропией энергетического спектра и анизотропией рассеивания носителей заряда в сильно деформированных кристаллах n-Ge, p-Ge, n-Si, p-Si. Цель исследования: Проведение экспериметнальных исследований для анализа кинетических явлений в условиях перестройки энергетической зонной структуры и влияния таких физических факторов, как: сильные напрравленные давления, сильные электрические поля, низкие температуры, большие дозы гамма-облучения, а также идентификация физических механизмов тэнзоэффектов. Методы исследования и аппаратура: Лабораторная автоматизированная установка для исследований тэнзорезистивных свойств полупроводников в условиях сильных направленных деформаций, вычислительный комплекс "ВУМС 128-013", "КАМАК". Теоретические результаты и новизна: Установлено, что в случае низкотемпературной ударной ионизации мелких примесей в n-Ge функция распределения носителей тока по энергии принимает сильно анизотропный вид-возникает стриминг. Практические результаты и новизна: Исследования тэнзорезистивных эффектов в кристаллах Ge и Si позволил определить возможности повышения чувствительности, расширения температурного апазона и диапазона по давлению чувствительных элементов датчиков давления. Предмет и степень внедрения: Результаты исследований дают возможность определить физические механизмы тэнзоэффектов, что в свою очередь, может быть использовано для оптимизации характеристик датчиков давления. Эффективность внедрения: использование результатов определяет возможность разработки датчиков давления с такими параметрами: нелинейность рабочей характеристики <0.1; чувствительность до 25-30 мВ/В*бар; температурный диапазон функционирования 200 К-450 К. Сфера (область) использования: Проект УНТЦ; производство интегральных датчиков давления. Дата реєстрації 1997-03-12 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити