Search academic texts

Information × Registration Number 0498U000113, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 18-12-1997 popup.evolution o Title Author Пятницкий Максим Юрьевич, popup.head Находкин Н.Г. popup.opponent Федорус А.Г. popup.opponent Литовченко В.Г. Description Объект исследования: Субмонослойные пленки Bi на Si /001/. Цель исследования: Получить данные о механизме формирования пленок Bi на Si/001/, о влиянии висмуту на электронную структуру и как следствие на химическую активность Si/001/. Методы исследования и аппаратура: Спектроскопия, термодесорбционная масспектро метрия, Оже-спектроскопия, ионизационная спектроскопия. Теоретические результаты и новизна: Спектрометрия. Практические результаты и новизна: Определен механизм формирования пленок Bi на Si/9001/ и влияние висмута на окисление поверхности Si/001/. Предмет и степень внедрения: Контрольное формирование сверхтонких слоев оксидов кремния у микроэлектронной технологии. Эффективность внедрения: С целью повышения степени интеграции интегральных схем. Сфера (область) использования: Полупроводниковая микроэлектроника. Registration Date 1997-12-18 popup.nrat_date 2020-05-17 Close