Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0498U001350, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 22-05-1998 Статус Запланована Назва роботи Стимулированное лазерным излучением дефектообразование в CdTe и твердых растворах MgхCd1-хTe и СdхHg1-хTe Здобувач Даулетмуратов Борибай Коптлеуович, Керівник Мозоль П.Е. Керівник Власенко А.И. Опонент Фекешгази И.В. Опонент Гнатенко Ю.П. Опис Объект исследования: CdTe и MgхCd1-х и СdхHg1-хTe. Цель исследования: Исследование процессов образования и перестройки дефектов вприповерхностной области CdTe и твердых растворах MgхCd1-хTe и CdхHg1-хTe под воздействием лазерного облучения наносекундной длительности, особенности фотоэлектрических явлений в условиях разных уровней возбуждения. Методы исследования и аппаратура: Лазерная обработка, ФП, ФЛ, КРС, травление. Теоретические результаты и новизна: Сделана оценка температуры в зоне облучения и глубины образования ударной волны в CdTe. Практические результаты и новизна: Разработан способ изготовления переключающего элемента с памятью на монокристаллах и пленках CdTe под действием ударной волны. Предмет и степень внедрения: Публикации в научных изданиях и материалах конференций. Эффективность внедрения: Метод позволяет получить кристаллы с заданными свойствами. Сфера (область) использования: Лаборатории предприятий полупроводниковой промышленности. Дата реєстрації 1998-05-22 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити
Дисертація кандидатська
Даулетмуратов Борибай Коптлеуович. Стимулированное лазерным излучением дефектообразование в CdTe и твердых растворах MgхCd1-хTe и СdхHg1-хTe : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 1998-05-22; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників НАН України. – Київ, 0498U001350.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19