Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0498U001756, Кандидатська дисертація

Назва роботи

Термофоторезистивный эффект для микроэлектронных сенсоров

Здобувач

Павлишин О.В.,

Керівник Готра З.Ю.
Опонент Дружинин А.О.
Опонент Брайловский В.В.

На здобуття

к.т.н., 05.27.01, Твердотільна електроніка

Дата захисту

29-06-1998

Опис

Объект исследования: Полупроводниковые слоистые кристаллы InSe, термофоторезистивный эффект - создание микроэлектронных сенсоров. Цель исследования: Теоретическое изучение и экспериментальное исследование термофоторезистивного эффекта в полупроводниках, создание приборов функциональной электроники на его базе. Методы исследования и аппаратура: Моделирование термофоторезистивного эффекта, разработка методики исследования, исследование свойств полупроводников, создание приборов функциональной электроники. Теоретические результаты и новизна: Выведено уравнение термофотопроводимости, исследовано свойства полупроводников методом комбинированного термо- и фотовозбуждения. Практические результаты и новизна: Разработаны приборы функциональной электроники на базе термофоторезистивного эффекта. Предмет и степень внедрения: Разработан сенсор частоты следования оптических импульсов, разработан сенсор модулированного по интенсивности инфракрасного излучения, опытные образцы. Эффективность внедрения: Улучшены характеристики приборов функциональной электроники за счет использования термофоторезистивного эффекта. Сфера (область) использования: Во ЛНИРТИ и ЛНИИ "Еротрон".