Реєстраційний номер
0498U001756, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.т.н.
Дата захисту
29-06-1998
Статус
Захищена
Назва роботи
Термофоторезистивный эффект для микроэлектронных сенсоров
Здобувач
Павлишин О.В.,
Керівник Готра З.Ю.
Опонент Дружинин А.О.
Опонент Брайловский В.В.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Особое конструкторское бюро "Рута"
Опис
Объект исследования: Полупроводниковые слоистые кристаллы InSe, термофоторезистивный эффект - создание микроэлектронных сенсоров. Цель исследования: Теоретическое изучение и экспериментальное исследование термофоторезистивного эффекта в полупроводниках, создание приборов функциональной электроники на его базе. Методы исследования и аппаратура: Моделирование термофоторезистивного эффекта, разработка методики исследования, исследование свойств полупроводников, создание приборов функциональной электроники. Теоретические результаты и новизна: Выведено уравнение термофотопроводимости, исследовано свойства полупроводников методом комбинированного термо- и фотовозбуждения. Практические результаты и новизна: Разработаны приборы функциональной электроники на базе термофоторезистивного эффекта. Предмет и степень внедрения: Разработан сенсор частоты следования оптических импульсов, разработан сенсор модулированного по интенсивности инфракрасного излучения, опытные образцы. Эффективность внедрения: Улучшены характеристики приборов функциональной электроники за счет использования термофоторезистивного эффекта. Сфера (область) использования: Во ЛНИРТИ и ЛНИИ "Еротрон".
Дата реєстрації
1998-07-29
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-17 / 2026-06-30
