Search academic texts

Information × Registration Number 0500U000042, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 27-01-2000 popup.evolution o Title Investigation of optical and electrical properties crystals, epitaxial layers and quantum well structures on the basis zincsulphite and zincselenide. Author Kovalenko Oleksandr Volodymyrovych, popup.head Кудзін Аркадій Юрійович popup.opponent Блонський Іван Васильович popup.opponent Глинчук Майя Давилдівна popup.opponent Корбутяк Дмитро Васильович Description Дисертаційну роботу присвячено дослідженню оптичних та електричних властивостей монокристалів ZnSxSe1-x з різноманітними домішками, гетероепітаксійних струтур ZnSe / GaAs (100) та квантово-розмірних структур типу одиночна квантова яма - ZnS-ZnSe-ZnS/GaAs (100) та надграта - ZnS/ZnSe/GaAs (100). Проаналізовано процеси переносу заряду при ФЛ в кристалах ZnS: Al, Cr, Fe; вивчено зміни в спектрах ЕПР та ФЛ пластично деформованих кристалів ZnS: Eu; ZnS: Al, Cr, Fe; ZnS: Al, Cr, Fe, Cu; досліджено вплив термообробок на тип провідності кристалів ZnSxSe1-x.Проведено комплексні дослідження фізичних процесів, які відбуваються при зрощуванні гетероепітаксійних структур ZnSe/GaAs (100) методами ГФЕ, ФГФЕ та РГФЕ. Вивчено можливості поліпшення кристалічної якості та коригування оптичних властивостей епітаксійних шарів ZnSe на підкладках GaAs (100) шляхом впливу на поверхню синтезованого напівпровідникового шару м'якого рентгенівського випромінювання та високого гідростатичного тиску. Отримано нові експериментальні дані про зміни екситонних спектрів ФЛ та СВ в епітаксійних плівках ZnSe на підкладках GaAs (100) із різною товщиною шару та характером внутрішніх деформаційних напружень. Вперше методом ФГФЕ на підкладках GaAs (100) зрощено квантово-розмірні структури типу одиночна квантова яма та надграта на основі сульфіду та селеніду цинку та досліджено їх оптичні характеристики. Registration Date 2000-01-27 popup.nrat_date 2020-04-04 Close