Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0501U000375, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 26-10-2001 Статус Запланована Назва роботи Фотостимульовані процеси в халькогенідних склоподібних напівпровідниках та їх застосування для отримання голограмних оптичних елементів Здобувач Стронський Олександр Володимирович, Керівник Олексенко Павло Феофанович Опонент Блонський І.В. Опонент Фекешгазі І.В. Опонент Поперенко Л.В. Опис Об'єкти дослідження: тонки плівки As-S-Se. Мета роботи: встановлення особливостей фотостимульованих процесів в тонких шарах халькогенідних склоподібних напівпровідників, розробка фізико-технологічних основ їх практичного застосування як реєструючих середовищ в голографії, у тому числі для отримання голограмних оптичних елементів. Основні методи досліджень: оптичні методи, комбінаційне розсіяння, електронна і атомно-силова мікроскопія. Основні результати: Досліджено оптичні властивості, спектри комбінаційного розсіювання, фотоструктурні перетворення, селективне травлення у шарах As-S-Se. Композиційні залежності оптичних властивостей в області прозорості та краю поглинання та їх еволюція під дією зовнішніх чинників (опромінення світлом або відпал) проаналізовані в рамках одноосциляторної моделі та моделі Пена. Розглянуто особливості механізму незворотніх фотоструктурних перетворень. Розроблено основи застосування реєструючих середовищ на основі шарів As-S-Se для голографії та технології отримання гологр амних оптичних елементів з використанням таких реєструючих середовищ. Значення дифракційної ефективності відбиваючих рельєфно-фазових граток, що отримані на основі шарів As-S-Se, близькі до теоретичної межі. Дата реєстрації 2001-10-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація докторська
Стронський Олександр Володимирович. Фотостимульовані процеси в халькогенідних склоподібних напівпровідниках та їх застосування для отримання голограмних оптичних елементів : д.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2001-10-26; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0501U000375.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16