Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0504U000571, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 22-10-2004 Статус Запланована Назва роботи Монокристалічні плівки SiC на чужорідних підкладках, їх структурні та електро-оптичні властивості Здобувач Власкіна Світлана Іванівна, Керівник Свєчніков Сергій Васильович Опонент Лисенко Володимир Сергійович Опонент Сминтина Валентин Андрійович Опонент Косяченко Леонід Андрійович Опис Дисертація присвячена розробці фізико-технологічних методів одержання монокристалічних плівок карбіду кремнію на чужорідних підкладках та дослідженню їх структурних та електрофізичних властивостей під задачі оптоелектроніки. В роботі розглянуто процеси росту плівок на кремнієвих підкладках, на металічних і діелектричних підкладках, на полімерних підкладках і розроблені різні технології осадження плівок карбіду кремнію, такі як: хімічний метод (CVD), плазмохімічний метод, метод лазерного напилювання, катодний і магнетронний методи, сублімаційний метод у вакуумі. Ці дослідження дозволили вперше у світі отримати монокристалічні плівки карбіду кремнію на кремнієвих підкладках. Встановлені закономірності росту плівок на монокристалічні підкладки з великою розугоджненістю параметрів гратки. Досліджені можливості і особливості фазових перетворень в монокристалічних плівках карбіду кремнію. Вивчені закономірності утворення власних та домішкових дефектів в монокристалічних плівках. Розроблена технологія одержання плівок р- та п-типів провідності при низьких (не більше 2500С) температурах, вивчена можливість отримання мікрокристалічної фази в аморфних плівках карбіду кремнію, запропонована схема випромінювальних переходів в аморфних гідрогенізованих плівках. Ключові слова: оптоелектроніка, карбід кремнію, тонкі плівки. Дата реєстрації 2004-10-22 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація докторська
1
Власкіна Світлана Іванівна. Монокристалічні плівки SiC на чужорідних підкладках, їх структурні та електро-оптичні властивості : д.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2004-10-22; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0504U000571.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16