Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0506U000070, Докторська дисертація На здобуття д.т.н. Дата захисту 25-01-2006 Статус Запланована Назва роботи Фізико-технологічні засади мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників Здобувач Стахіра Павло Йосипович, Керівник Готра Зенон Юрійович Опонент Осадчук Володимир Степанович Опонент Вербицький Володимир Григорович Опонент Григорчак Іван Іванович Опис Робота присвячена розробці нових фізичних і технологічних підходів до створення приладів мікроелектроніки. Об'єкт дослідження - електрофізичні, фотовольтаїчні, поляризаційні та фотохімічні явища. Предмет дослідження - технологічні підходи до створення гетероструктур, мікро- і нанокомпозитів шляхом формування інтерфейсних шарів на поверхні шаруватих напівпровідникових монокристалів А3B6 (InSe, GaSe), монокристалічного та поруватого кремнію, напівпровідникових оксидів індію та стануму методом їх модифікації електропровідними полімерами, нітридними та оксидними плівками і лазерною інтеркаляцією. Розроблені фізико-технологічні основи отримання та досліджені електричні та фотоелектричні властивості гетероструктур на основі p-InSe- поліфенілацетилену, p-InSe поліаніліну, а також композиту на основі мікродиспергованого InSe в спряженому полімері. Виявлено електрохромний ефект у структурі In2O3 -рідкий кристал -поліанілін - In2O3. На основі розробленої технології впровадження Ni в шаруватий монокристал GaSeвиявлено та обгрунтовано зміну кінетичних параметрів лазерно-інтеркальованих шаруватих кристалів та появу електретних і фотоелектретних ефектів. Представлені результати апробації гетероструктури In2O3 - спряжений поліаміноарен як електрохромного елемента в невипромінюючих дисплеях, а також як чутливого елемента в сенсорах токсичних газів та водневого покажчика середовища. Розроблені фізично-технологічні основи створення сенсорів на основі поруватого кремнію та провідних полімерів. Модифікація поверхні селеніду галію широкозонними напівпровідниковими плівками здійснювалася за допомогою розробленої технології формування оксидного шару на поверхні GaSe за допомогою лазерного окислення та методу іонного розпилення у схрещених електричному і магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур. Дата реєстрації 2006-01-25 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити