Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0506U000158, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 24-02-2006 Статус Запланована Назва роботи Ефекти компенсації у напівпровідниках та сенсора радіації на цій основі Здобувач Хіврич Володимир Ілліч, Опонент Ільченко Василь Васильович Опонент Гнатенко Юрій Павлович Опонент Курмашов Шаміль Джамашович Опис Дисертація присвячена вивченню та практичному використанню закономірностей впливу компенсації, яка змінювалась за рахунок стехіометрії або опромінення різними видами радіації, на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників та сенсорів на їх основі. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe виявлено всі закономірності, передбачувані теорією, і показано, що такі кристали можуть служити моделлю аморфного напівпровідника. Показано, що опроміненням g-фотонами Co60 можна значно розкомпенсувати кристали і зробити їх придатними для виготовлення спетрометрів ядерних випромінювань. Вивчено вплив g-опромінення невеликими дозами на кристали CdS, ZnSe, ZnSe<Te>, Si p-типу і виявлено покращання їх електрофізичних характеристик, а в тестових Si0.75Ge0.25/Si гетерострук-турах досягнуто повної релаксації механічних напруг. Спостережено також покращання параметрів на пластинах Si і на діодних структурах після опромінення невеликими флюенсами швидких нейтронів. Виявлена підвищена радіаційна стійкість нейтронно-легованого кремнію, яка обумовлена стоками радіаційного походження. На основі білякрайового поглинання в Si запропоновано техно-логічний дозиметр швидких нейтронів для флюенсів ?1015 н/cм2. Компенсація електропровідности в надчистому n-Si стала основою розробки аварійного дозиметра нейтронів, а удосконалений МОН-транзистор - аварійним g-дозиметром. Дата реєстрації 2006-02-24 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити