Search academic texts

Information × Registration Number 0508U000525, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 26-09-2008 popup.evolution o Title Physical phenomena in heterojunctions based on layered crystals of gallium, indium, and tin chalcogenides Author Katerynchuk Valeriy, popup.head Kovalyuk Zakhar popup.opponent Тетьоркін Володимир Володимир popup.opponent Раренко Іларій Михайлович popup.opponent Cавчин Володимир Павлович Description Представлено результати досліджень гетеропереходів (ГП) з неузгодженими ґратками на основі шаруватих кристалів GaSe, InSe і інших. Показано, що ГП мають високі діодні якості, а їх фотоелектричні параметри можуть бути змінені і поліпшені завдяки використанню тандемної системи наноструктурована плівка-ГП, тунельних діелектриків на гетеромежі, вироджених оксидів в парі з напівпровідником, різної кристалографічної локалізації p-n-переходу, високоенергетичного опромінення. Registration Date 2008-09-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close