Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0513U000183, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 14-02-2013 Статус Запланована Назва роботи Властивості багатодолинних напівпровідників зі структурними дефектами технологічного і радіаційного походження Здобувач Федосов Сергій Анатолійович, Керівник Баранський Петро Іванович Опонент Бабич Вілік Максимович Опонент Шендеровський Василь Андрійович Опонент Головацький Володимир Анатолійович Опис Створено методики обчислення констант деформаційного потенціалу та коефіцієнтів, які визначаються ступенем заповнення глибокого рівня, й оцінено їх значення для n-Ge та n-Si з глибокими енергетичними рівнями. Досліджено вплив шаруватих періодичних неоднорідностей в об'ємі монокристалу на кінетичні ефекти антимоніду кадмію та гамма-опромінених різними дозами n-Ge та n-Si. Встановлено характер впливу гамма-опромінення на явища переносу та закономірності швидкості утворення радіаційних дефектів у CdSb n- і p-типу провідності. Дата реєстрації 2013-02-14 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити