Добкторська дисертація. Федосов Сергій Анатолійович. Властивості багатодолинних напівпровідників зі структурними дефектами технологічного і радіаційного походження

Registration Number

0513U000183, Doctoral dissertation

Status

д.ф.-м.н.

Date

14-02-2013

popup.evolution

.

Title

Properties of many-valleys semiconductors with structural defects of technological and radiation origin

Author

Fedosov Sergii Anatoliyovych,

popup.head Baranskiy Petr Ivanovych
popup.opponent Бабич Вілік Максимович
popup.opponent Шендеровський Василь Андрійович
popup.opponent Головацький Володимир Анатолійович

popup.rada

Lesya Ukrainka Volyn National University

Description

Створено методики обчислення констант деформаційного потенціалу та коефіцієнтів, які визначаються ступенем заповнення глибокого рівня, й оцінено їх значення для n-Ge та n-Si з глибокими енергетичними рівнями. Досліджено вплив шаруватих періодичних неоднорідностей в об'ємі монокристалу на кінетичні ефекти антимоніду кадмію та гамма-опромінених різними дозами n-Ge та n-Si. Встановлено характер впливу гамма-опромінення на явища переносу та закономірності швидкості утворення радіаційних дефектів у CdSb n- і p-типу провідності.

Registration Date

2013-03-05

popup.nrat_date

2020-04-04 / 2026-06-30