Search academic texts

Information × Registration Number 0513U000183, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 14-02-2013 popup.evolution o Title Properties of many-valleys semiconductors with structural defects of technological and radiation origin Author Fedosov Sergii Anatoliyovych, popup.head Baranskiy Petr Ivanovych popup.opponent Бабич Вілік Максимович popup.opponent Шендеровський Василь Андрійович popup.opponent Головацький Володимир Анатолійович Description Створено методики обчислення констант деформаційного потенціалу та коефіцієнтів, які визначаються ступенем заповнення глибокого рівня, й оцінено їх значення для n-Ge та n-Si з глибокими енергетичними рівнями. Досліджено вплив шаруватих періодичних неоднорідностей в об'ємі монокристалу на кінетичні ефекти антимоніду кадмію та гамма-опромінених різними дозами n-Ge та n-Si. Встановлено характер впливу гамма-опромінення на явища переносу та закономірності швидкості утворення радіаційних дефектів у CdSb n- і p-типу провідності. Registration Date 2013-02-14 popup.nrat_date 2020-04-04 Close