Search academic texts

Information × Registration Number 0514U000024, Doctoral dissertation Status д.т.н. Date 11-12-2013 popup.evolution o Title Physical and technological basis of the obtaining and modification of nanocrystalline silicon carbide films Author Semenov Alexander Vladimirovich, popup.opponent Бєляєв Олександр Євгенович popup.opponent Гадзира Микола Пилипович popup.opponent Андреєв Анатолій Опанасович Description Дисертація присвячена розробці фізико-технологічних основ отримання та модифікації плівок нанокристалічного SiC в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію з підвищеною енергією. Запропоновано метод низькотемпературного формування шарів нанокристалічного SiC на підкладці на основі прямого осадження іонів вуглецю і кремнію підвищеної енергії, для реалізації якого було розроблено вакуумно-дугове джерело іонів вуглецю і кремнію з використанням катода з полікристалічного SiC. Вперше експериментально показано можливість низькотемпературного формування та визначено температури формування плівок нанокристалічного SiC некубічних політипів 15R-SiC, 21R-SiC, 24R-SiC, 27R-SiC, 51R-SiC, 6H-SiC. Запропоновано модель опису теплового балансу на підкладці в процесі формування плівок SiC в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію з енергією ~ 100 еВ. У плівках нанокристалічного SiC вперше виявлено аномально великий нелінійноптичний відгук третього порядку. Максимальну величину нелінійної сприйнятливості х(3)~10-5 од. СГСЕ мають плівки нанокристалічного 21R-SiC політипу з розміром нанокристалів ~ 10 нм. Розроблено градієнтний спосіб формування гетероструктур на основі шарів нанокристалічного SiC в єдиному циклі прямого осадження іонів. Для формування інтерфейсу на межі розподілу нанокристал/межова область та компенсації носіїв заряду в межових областях було застосовано відпал в атмосфері О2. На сформованому інтерфейсі nc-SiC/SiO2 отримано додаткове випромінювання ФЛ в УФ (3,6 еВ) і в ІЧ (1,5-1,6 еВ) областях. На основі nc-SiC плівок були розроблені та виготовлені: стійкі до електромагнітних перешкод широкодіапазонні (0-1000°С) оптоволоконні мікродатчики, високостабільний температурний безінерційний терморезистівний мікродатчик (діаметр сенсора 200 мкм), радіаційностійкий візуалізатор електронного пучка з енергією 10-20 МеВ, високоомні захисні покриття для НВЧ потужних pin-діодів, фотоперетворювачів, у тому числі сонячних елементів та оптичних елементів. Registration Date 2013-12-11 popup.nrat_date 2020-04-04 Close