Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0517U000799, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 27-11-2017 Статус Запланована Назва роботи Електронна і ядерна спінова динаміка в напівпровідникових нано- та гетероструктурах Здобувач Коплак Оксана Вячеславівна, Керівник Макара Володимир Арсенійович Опонент Бєляєв Олександр Євгенович Опонент Погорілий Анатолій Миколайович Опонент Татаренко Валентин Андрійович Опонент Прокопенко Ігор Васильович Опис Дисертаційна робота об'єднує три напрямки експериментальних досліджень у рамках єдиної концепції використання спінів мікрочастинок для створення логічних пристроїв: а) квантовий комп'ютинг на ядерних спінах 29Si ізотопу кремнію, б) напівпровідникова неорганічна спінтроніка, в) органічна спінтроніка. Квантовий комп'ютинг (а) представлений дослідженнями процесів окиснення і пластичної деформації в ізотопно збагачених кристалах кремнію. Встановлено вплив надтонкої взаємодії на окиснення кремнію (магнітний ізотопний ефект). Розроблено принципи деформаційної ізотопної інженерії приповерхневих шарів кремнію. В якості напівпровідникових неорганічних гетероструктур (б) були досліджені гетероструктури InGaAs/GaAs/GaAs:Mn з квантовою ямою і феромагнітні кластери MnSb (41%) в кристалічній решітці GaSb (59%). У гетероструктурах InGaAs/GaAs/GaAs:Mn виявлено вплив феромагнітного упорядкування шару Mn на поляризацію фотолюмінесценції геометрично віддаленої квантової ями InGaAs завдяки поширенню хвильових функцій дірок в шар Mn. У тонких плівках GaMnSb вперше встановлено вплив концентрації дірок у провідній матриці GaSb на намагніченість насичення феромагнітних кластерів MnSb. В органічних напівпровідниках (в) (DOEO)4[HgBr4]·TCE були виявлені природні гетероструктури, що створюють бар'єри Шотткі і володіють антиферомагнетизмом завдяки локалізації в них носіїв заряду. В органічних напівпровідниках а'-(BEDT-TTF)2IBr2, збагачених ізотопом 13С і дейтерієм виявлено вплив ізотопного заміщення на температуру локалізації носіїв заряду (дірок). Розроблено нові напрямки ізотопної інженерії матеріалів спінтроніки та квантового комп'ютингу, а також встановлена роль дефектів структури і електронних процесів на поверхні і межах поділу гетероструктур у формуванні магнітних і електричних властивостей логічних пристроїв. Дата реєстрації 2017-11-27 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити