Реєстраційний номер
0518U002690, Докторська дисертація
На здобуття
Доктор фізико-математичних наук
Дата захисту
06-12-2018
Статус
Захищена
Назва роботи
Транспорт нерівноважних носіїв заряду в багатокомпонентних плазмоподібних середовищах
Здобувач
Воловічев Ігор Миколайович, Доктор фізико-математичних наук
Керівник Гуревич Юрій Генріхович
Консультант Гуревич Юрій Генріхович
Опонент Москалець Михайло Васильович
Опонент Колесніченко Юрій Олексійович
Опонент Лукін Костянтин Олександрович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Інститут радіофізики та електроніки ім. О. Я. Усикова НАН України
Опис
У дисертації вирішено актуальну проблему фізичної електроніки – дослідження транспорту нерівноважних носіїв заряду в плазмоподібних середовищах та їх взаємодії з електромагнітними полями. Об’єктом дослідження є транспортні процеси в плазмоподібних середовищах з кількома типами нерівноважних носіїв заряду, зокрема, термоелектричні і фотоелектричні явища в біполярних напівпровідниках. Мета дисертаційної роботи ¬– розвиток лінійної дифузійно-дрейфової теорії транспортних процесів в багатокомпонентних системах для вивчення взаємодії нерівноважних носіїв заряду з електромагнітним полем в твердотільнiй плазмі. Результати отримано з використанням методу послідовних наближень для нелінійних матеріальних рівнянь класичної електродинамічної задачі, методу кінцевих різниць для розв’язання диференціальних рівнянь. В роботі отримано загальну самоузгоджену систему граничних умов для дослідження стаціонарних транспортних процесів в структурах з напівпровідників і металів в довільних поєднаннях, запропоновано нову модель рекомбінаційних процесів в неоднорідних температурних полях для лінійної дифузійно-дрейфової теорії транспортних процесів в обмежених плазмоподібних середовищах з кількома типами носіїв струму. Розширено теорію термоелектричних явищ для середовища з нерівноважними носіями заряду декількох типів. Передбачено принципово новий поперечний динамічний термоелектричний ефект. Результати можуть бути застосовано для вимірювання параметрів напівпровідників, в моделюванні швидкодіючих оптоелектронних та інших мікроелектронних приладів, для підвищення ефективності перетворювачів теплової енергії у електричну.
Дата реєстрації
2018-12-14
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-03 / 2026-06-29
