1 documents found
Information × Registration Number 0521U101814, Doctoral dissertation Status Доктор фізико-математичних наук Date 15-09-2021 popup.evolution o Title Effects of interaction of terahertz radiation with a strongly nonequilibrium electron gas in bulk and low-dimensional semiconductor structures Author Korotyeyev Vadym Vyacheslavovich, к.ф.-м.н. popup.head Korotyeyev Vadym Vyacheslavovich popup.advisor Korotyeyev Vadym Vyacheslavovich popup.opponent Сугаков Володимир Йосипович popup.opponent Nosych Olexander Josypovych popup.opponent Poroshin Volodymyr Mykolayovich Description В дисертаційній роботі побудовані теорії сильно-польового та високочастотного електронного транспорту в об’ємних зразках, квантових гетероструктурах та просторово - обмежених діодних структурах на основі AIIIBV напівпровідникових матеріалів. В рамках побудованих теорій досліджені ефекти сильно-польової та магнето-транспортної кінетики носіїв, ефекти анізотропії високочастотного відгуку електронного газу, що наведені сильним електричним та магнітним полем, а також розглянуті транспортні режими виникнення струмових та плазмонних нестійкостей в сильних електричних полях. Зокрема, проведений комплексний аналіз ефекту стримінгу та прольотного резонансу на оптичних фононах в компенсованому GaN. Виявлені ефекти виникнення від’ємної динамічної провідності, що можуть застосовуватись для генерації ТГц випромінювання в діапазоні частот 0.5-2 ТГц. Запропоновані нові методики для експериментальної ідентифікації цих транспортних режимів в експериментах прецизійної ТГц спектроскопії, та додатково, в магнето-транспортних та електро - градієнтних вимірюваннях. Окреслені параметри балістичних n+-i-n+ діодів на основі InAs та GaAs матеріалів в яких можуть виникати струмові нестійкості прольотного типу. Запропонована модель ТГц генератора, що використовує в якості активного елемента каскадну структуру ідентичних балістичних діодів. Досліджені ефекти детектування, підсилення та генерації терагерцового випромінювання гібридними плазмонними структурами з металічними гратками в умовах сильного дрейфу носіїв. Знайдені фізичні параметри таких структур, робочі температури їх функціонування, інтервали прикладених полів, та можливий інтервал частот для спостереження ефектів підсилення/генерації ТГц випромінювання. Проведені дослідження є важливими для створення активних елементів надвисокочастотної оптоелектроніки нового покоління, що використовують для контролю робочих параметрів сильні електричні поля. Registration Date 2021-09-27 popup.nrat_date 2021-09-27 Close
Doctoral dissertation
1
Korotyeyev Vadym Vyacheslavovich. Effects of interaction of terahertz radiation with a strongly nonequilibrium electron gas in bulk and low-dimensional semiconductor structures : Доктор фізико-математичних наук : spec.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : presented. 2021-09-15; popup.evolution: .; VE Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of the National Academy of Sciences of Ukraine. – Київ, 0521U101814.
1 documents found

Updated: 2026-03-21