Search academic texts

Information × Registration Number 0523U100013, Doctoral dissertation Status Доктор фізико-математичних наук Date 19-01-2023 popup.evolution o Title Influence of defective structure on the electrical and tensoelectrical properties of n-Ge and n-Si single crystals and film nanostructures based on them Author Luniov Sergiy Valentynovych, Кандидат фізико-математичних наук popup.head Luniov Sergiy Valentynovych popup.advisor Luniov Sergiy Valentynovych popup.opponent Gomonnai Oleksandr Vasylyovych popup.opponent Olikh Oleg Yaroskavovych popup.opponent Holovatskyi Volodymyr Amnatoliyovych popup.review Myronchuk Halyna Leonidivna popup.review Fedosov Sergii Anatoliyovych popup.review Galyan Volodymyr Volodymyrovych Description Дисертація присвячена вивченню закономірностей впливу деформаційних, радіаційних, температурних полів та легування різними домішками на механізми тензоефектів, електропровідності та розсіяння носіїв струму в монокристалах n-Ge, n-Si та наноплівках германію. На основі проведених вимірювань тензоопору одновісно деформованих вздовж кристалографічного напрямку [100] монокристалів n-Ge, теорій деформаційного потенціалу та анізотропного розсіяння було знайдено константи деформаційного потенціалу та ефективні маси для Δ1-мінімуму зони провідності германію. Використання даних параметрів дозволило провести розрахунки енергії іонізації мілких донорів Sb, As та P, зв’язаних з Δ1-долинами, питомого опору, коефіцієнта Холла та рухливості електронів при сильних одновісних тисках. Проведено розрахунки величин відносних деформацій, зонної структури та електричних властивостей для нелегованої та легованої донорною домішкою наноплівки германію, вирощеній на підкладці Ge(x)Si(1-x) (001) в залежності від її компонентного складу. Встановлено, що на електричні властивості такої наноплівки товщиною d<7 нм суттєво впливають квантово-розмірні ефекти. Досліджено механізми дефектоутворення та ідентифіковано природу радіаційних дефектів в монокристалах n-Ge<Sb> та n-Si<P>, опромінених високоенергетичними електронами. Запропоновано теоретичну модель відпалу точкових та складних дефектів в опромінених електронами монокристалах n-Ge<Sb>. Проведено дослідження механізмів електропровідності та розсіяння носів струму в недеформованих та одновісно деформованих монокристалах n-Ge та n-Si з технологічними та радіаційними дефектами, що створюють в забороненій зоні германію та кремнію глибокі енергетичні рівні. Встановлено, що ціленаправлений вплив електронного опромінення та термовідпалу дозволяє підвищити тензо-, фото-, термічну та магнітну чутливість монокристалів n-Ge та n-Si. Registration Date 2023-01-25 popup.nrat_date 2023-01-25 Close