Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0525U000029, Докторська дисертація На здобуття Доктор фізико-математичних наук Дата захисту 13-02-2025 Статус Запланована Назва роботи Трансформація електронних і фононних станів у кристалах типу TlInS2 в області фазових переходів і при просторовому обмеженні Здобувач Гомоннай Олександр Олександрович, Кандидат фізико-математичних наук Опонент Стадник Василь Йосифович Опонент Галян Володимир Володимирович Опонент Джаган Володимир Миколайович Рецензент Височанський Юліан Миронович Рецензент Різак Василь Михайлович Рецензент Небола Іван Іванович Опис Дисертацію присвячено з’ясуванню природи та особливостей фізичних процесів у шаруватих халькогенідних сегнетоелектриках типу TlInS2 в області фазових переходів і при легуванні та просторових обмеженнях і можливостей формування композитів на їх основі. Методами функціоналу густини проведено розрахунки фізичних характеристик кристалів TlInS2, TlIn(S0.75Se0.25)2 і наношарів TlInS2 та експериментальні дослідження оптичних (еліпсометрія, раманівське розсіювання, двопроменезаломлення, кут повороту оптичної індикатриси, поглинання) та пружних властивостей кристалів TlIn(S1 xSex)2. У рамках першопринципного підходу в різних наближеннях (DFT/PBE-D, DFT/LDA-D+U) проведено дослідження енергетичних зонних спектрів, повних та парціальних густин електронних станів кристалів TlInS2 і TlIn(S0.75Se0.25)2. У наближеннях DFT/PBE-D+U розраховано дійсну та уявну частини діелектричної функції, спектральні поляризаційні залежності коефіцієнтів поглинання, показників відбивання та коефіцієнтів екстинкції кристалів TlInS2 і TlIn(S0.75Se0.25)2, для яких виявлено незначну анізотропію. Результати розрахунків порівняно з отриманими експериментальними даними оптичної спектроскопії (оптичне поглинання та еліпсометрія). У результаті спектроеліпсометричних досліджень кристалів TlIn(S1 xSex)2 (0 < x ≤ 0.25) в області 1–5 еВ у температурному інтервалі 133 К–300 К проведено аналіз обумовлених ізовалентним заміщенням та температурою змін спектральних залежностей дійсної та уявної частин діелектричної функції, показника заломлення та коефіцієнта екстинкції. У результаті досліджень спектрів раманівського розсіювання світла кристалів TlIn(S1 xSex)2 при найменшому досягнутому прояві фонон-фононної взаємодії (30 К) проаналізовано композиційну поведінку частот, напівширин та інтегральних інтенсивностей фононних мод в інтервалі 0 < х ≤ 0.25, та їх зміни в області фазових переходів. Встановлено T-х діаграму кристалів TlIn(S1 xSex)2 (0 ≤ x ≤ 0.25) та уточнено T-p діаграму кристала TlInS2. Проведено квантово-хімічні розрахунки електронних властивостей для наношарів TlInS2 різної товщини з використанням коду Vienna Ab Initio Simulation Package на основі теорії функціоналу електронної густини, при цьому використано функцію обмінно-кореляційного функціоналу Форде-Берка-Ернцергофа в рамках узагальненого градієнтного наближення. З’ясовано умови кристалізації TlInS2 та TlInSe2 у аморфних плівках та формування нанокристалів різної морфології TlInS2, SbSI та Sn2P2S6 у композитах на основі As2S3 і TlInSe2 у склі As2Se3 у результаті дії лазерного випромінювання та/або температурного відпалу. Дата реєстрації 2025-01-20 Додано в НРАТ 2025-01-20 Закрити