Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0596U000745, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 29-11-1996 Статус Запланована Назва роботи Зонные и дефектные состояния в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе Здобувач Тетеркин Владимир Владимирович, Опонент Литовченко В.Г. Опонент Савицкий В.Г. Опонент Горлей П.М. Опис Объект исследования: Полупроводниковые кристаллы, гетеропереходы, сверхрешетки. Цель исследования: Определение параметров зонного спектра и состояний дефектов. Методы исследования и аппаратура: Оптическое пропускание, эффект Фарадея, гальваномагнитные эффекты, рентгеновские спектры, оже-спектры, ВАХ и ВФХ. Теоретические результаты и новизна: Определены параметры зонного спектра, положение уровней дефектов, механизмы токопрохождения, тип сверхрешеток - впервые. Практические результаты и новизна: Изготовлены фоточувствительные в ИК диапазоне спектра структуры на основе сверхрешеток - впервые. Предмет и степень внедрения: Многоэлементные инфракрасные фотоприемники - изготовление и контроль характеристик. Эффективность внедрения: Оптимизация параметров инфракрасных фоточувствительных структур. Сфера (область) использования: Оптоэлектроника. Дата реєстрації 1996-11-29 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити