Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0597U000379, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 31-10-1997 Статус Запланована Назва роботи Оптические и рекомбинационные переходы в полупроводниках с дефектами, деформациями и неоднородностями состава Здобувач Стриха М.В., Керівник Васько Ф.Т. Опонент Сальков Е.А. Опонент Шендеровский В.А. Опонент Украинский И.И. Опис Объект исследования: Оптические и рекомбинационные переходы в полупроводниках. Цель исследования: Построение последовательной теории квантовомеханических процессов в реальных полупроводниковых кристаллах. Методы исследования и аппаратура: Кр-метод, метод эффективной массы, метод функции Грина. Теоретические результаты и новизна: Построена теория оптических и рекомбинационных переходов в реальных полупроводниках. Практические результаты и новизна: Предложены методы идентификации локальных напряжений и определения деформационных потенциалов, способы управления рекомбинационными параметрами. Дата реєстрації 1997-10-31 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити
Дисертація докторська
Стриха М.В.. Оптические и рекомбинационные переходы в полупроводниках с дефектами, деформациями и неоднородностями состава : д.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 1997-10-31; Статус: Захищена; Институт физики полупроводников НАН Украины. – , 0597U000379.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18