Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0597U001019, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 04-12-1996 Статус Запланована Назва роботи Влияние изовалентных замещений на статические и динамические свойства собственных сегнетоэлектриков (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6 Здобувач Ризак ВАсилий Михайлович, Керівник Сливка В.Ю. Опонент Байса Д.Ф. Опонент Кудзин А.Ю. Опонент Романюк Н.А. Опис Объект исследования: Собственные сегнтоэлектрики-полупроводники (PbySn1-y)2P2(SexS1-x)6. Цель исследования: Изучение универсальных проявлений ангармонизма в физических свойствах и исследование фундаментальных закономерностей неравновесных эффектов и критических явлений в сегнетоэлектриках-полупроводниках системах с поликритическими точками. Методы исследования и аппаратура: Методы адиабатического калориметра (Cp), стационарного продольного теплового потока (лямбда), Сенармона (Дельта(эпсилон n). Методы рассеяния нейтронов и света. Дилатометр Стрелкова. Теоретические результаты и новизна: Предложено новое научное направление - исследование ангармонизма, неравновесных и флуктуационных эффектов в полупроводниковых дипольных системах с поликритическими точками (точка Лифшица, трикритическая точка, трикритическая точка Лифшица). Практические результаты и новизна: Установлены общие закономерности поведения термодинамичкских, кинетических и динамических свойств полупроводниковых дипольных систем с уникальной комбинацией поликритических точек (точка Лифшица, трикритическая точка, трикритическая точка Лифшица). Предмет и степень внедрения: Исследуемые материалы можно рекомендовать в качестве активной среды в элетронной технике. Сфера (область) использования: Электронная техника. Дата реєстрації 1996-12-04 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити