Реєстраційний номер
0597U001064, Докторська дисертація
На здобуття
д.ф.-м.н.
Дата захисту
23-05-1997
Статус
Захищена
Назва роботи
Роль радиационно-стимулированных процессов в модификации свойств полупроводников и полупроводниковых приборов с дефектами структуры
Здобувач
Мак Василий Тимофеевич,
Опонент Корбутяк Д.В.
Опонент Чуйко Г.П.
Опонент Фодчук И.М.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Черновицкий государственный университет им. Юрия Федьковича
Опис
Объект исследования: Сульфид и тиогалат кадмия, кремниевые диоды и транзисторы. Цель исследования: Обнаружение особенностей радиационного дефектообразования в зависимости от структуры и типа химической связи твердого тела. Методы исследования и аппаратура: Электрические, оптические, фотоэлектрические, регтгеновские методы исследований; монохроматоры, электрометры. Теоретические результаты и новизна: Расширение представлений от ионизационно-стимулированных процессах, предложена модель таких процессов. Практические результаты и новизна: Разработаны методы стабилизации параметров материалов и модификации свойств бракованных приборов. Предмет и степень внедрения: Гамма и бета дозиметры, кремниевые диоды и транзисторы. Эффективность внедрения: Дозиметры с высокой радиационной стойкостью, увеличение выхода годных диодов и транзисторов. Сфера (область) использования: Твердотельная электроника и промышленность.
Дата реєстрації
1997-12-24
Додано/оновлено в НРАТ
2020-05-18 / 2026-06-30
