Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0597U001064, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 23-05-1997 Статус Запланована Назва роботи Роль радиационно-стимулированных процессов в модификации свойств полупроводников и полупроводниковых приборов с дефектами структуры Здобувач Мак Василий Тимофеевич, Опонент Корбутяк Д.В. Опонент Чуйко Г.П. Опонент Фодчук И.М. Опис Объект исследования: Сульфид и тиогалат кадмия, кремниевые диоды и транзисторы. Цель исследования: Обнаружение особенностей радиационного дефектообразования в зависимости от структуры и типа химической связи твердого тела. Методы исследования и аппаратура: Электрические, оптические, фотоэлектрические, регтгеновские методы исследований; монохроматоры, электрометры. Теоретические результаты и новизна: Расширение представлений от ионизационно-стимулированных процессах, предложена модель таких процессов. Практические результаты и новизна: Разработаны методы стабилизации параметров материалов и модификации свойств бракованных приборов. Предмет и степень внедрения: Гамма и бета дозиметры, кремниевые диоды и транзисторы. Эффективность внедрения: Дозиметры с высокой радиационной стойкостью, увеличение выхода годных диодов и транзисторов. Сфера (область) использования: Твердотельная электроника и промышленность. Дата реєстрації 1997-05-23 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити