Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0824U002747, Дисертація доктора філософії На здобуття Доктор філософії Дата захисту 06-09-2024 Статус Наказ про видачу диплома Назва роботи Вплив радіаційних дефектів на характеристики гомоперехідних світлодіодів (GaP; GaAsP) та гетероперехідних (InGaN/GaN) Здобувач Стратілат Дмитро Петрович, Керівник Тартачник Володимир Петрович Опонент Оліх Олег Ярославович Опонент Насєка Юрій Миколайович Рецензент Ревка Володимир Миколайович Рецензент Пугач Валерій Михайлович Опис Дисертаційна робота присвячена встановленню впливу опромінення електронами з E = 2 МеВ, ? – квантами 137Cs, 60Co, нейтронами реактора, на характеристики гомоперехідних GaP, GaAsP світлодіодів, а також світлодіодів із квантовими ямами InGaN/GaN. Перший розділ містить аналіз літературних джерел, в яких напрямки досліджень близькі до теми дисертації. Розглянуті властивості вихідних гомоперехідних світлодіодних структур GaP та GaAsP та гетороперехідних InGaN із квантовими ямами. Наведені результати аналізу дії відпалу на основні параметри і характеристики опромінених зразків. Описано специфіку взаємодії ультразвукової хвилі із вихідними порушенями і радіаційними дефектами кристалічної гратки, опрацьовано і узагальнено інформацію про досягнення в області наукового пошуку, сучасних тонких технологій, особлива увага звернута на застосування інжєкційних джерел свічення і їхню радіаційну стійкість. У другому розділі висвітлена методика проведення експерименту – приготування зразків до опромінення, описана конструкція і принцип дії вимірювальних пристроїв, пристосувань для опромінення електронами/ Третій розділ містить результати досліджень деградаційно-відновних явищ, властивих вихідним та опроміненими електронами світлодіодів GaP. Проаналізовано вплив радіаційних дефектів на спектри випромінювання СД. У четвертому розділі розглянуто особливості вольт-амперних характеристик світлодіодів, одержаних на основі твердих розчинів GaP-GaAs. Наведено результати досліджень впливу електронного опромінення (Е = 2 МеВ, Ф = 3•10^14 ? 2,6 • 10^см^-2) на основні електрофізичні параметри діодів GaAs_1-xP_x (х = 0,85 – жовті, х = 0,45 – помаранчеві). Виявлено зростання диференційного опору, послідовного опору бази та бар’єрного потенціалу. Проаналізовано процеси відновлення досліджуваних зразків при ізохронному відпалі, обговорюються механізми деградаційно-відновних явищ. П`ятий розділ містить результати досліджень оптичних характеристики вихідних світлодіодів GaAs_1-хP_х та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, Ф = 10^15?10^16 см^-2. Проведено оцінку ширини забороненої зони твердого розчину GaAs_1-хP_х для х = 0,45. Розраховано коефіцієнти пошкодження часу життя неосновних носіїв заряду для опромінених світлодіодів GaAsP та проаналізовано наслідки впливу радіації на експлуатаційний параметр Т_1, який визначає термостійкість роботи діодів. У шостому розділі досліджувались спектри випромінювання білих світлодіодів (СД) InGaN/GaN, основні складові яких – лінія синього СД з ?_max = 443 нм та широка роздвоєна смуга вторинного випромінювання люмінофора AIT-YAG (Ce) ? = 500?650 нм. У розділі показано, що немонотонна залежність інтенсивності свічення від температури зумовлена посиленням ефекту екранування внутрішніх полів вільними носіями, а також тепловим гасінням у результаті підвищення щільності фононного газу. У сьомому розділі показано, що у СД InGaN, при T ? 180 K на ВАХ виникають області від`ємного дифиренційного опору. Встановлено, що пробійні ділянки на ВАХ – результат міжбар`єрного тунелювання носіїв. Дата реєстрації 2024-07-25 Додано в НРАТ 2024-08-29 Закрити