Реєстраційний номер
0824U003117, Дисертація доктора філософії
На здобуття
Доктор філософії
Дата захисту
30-08-2024
Статус
Наказ про видачу диплома
Назва роботи
Особливості фізичних характеристик вихідних і опромінених електронами з енергією Е = 2 МеВ гомо- та гетероперехідних світлодіодів
Здобувач
Мосюк Тетяна Іванівна,
Керівник Вернидуб Роман Михайлович
Опонент Корбутяк Дмитро Васильович
Опонент Туровський Олександр Леонідович
Рецензент Кириленко Олена Іванівна
Рецензент Павлова Наталія Юріївна
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Український державний університет імені Михайла Драгоманова
Опис
Дисертаційна робота присвячена дослідженню електрофізичних та оптичних характеристик вихідних та опромінених електронами з енергією E = 2 МеВ, гомоперехідних GaP, GaAsP, світлодіодів і гетероперехідних світлодіодів InGaN з квантовими ямами.
У поданій роботі детально описано технологію опромінення зразків, приготування до експериментальних вимірювань, принципові схеми вимірювальних пристроїв, особливості низькотемпературних вимірювань, способи одержання потрібної інформації та методи опрацювання результатів.
Приведені результати вимірювання вольт-амперних та електролюмінісцентних характеристик у межах 77 ^ 300 °К вихідних і опромінених електронами з енергією Е = 2 МеВ; Ф = 8,2 ■ 1016 см-2 світлодіодів GaP, InGaN/GaN. Проаналізовано особливості температурних залежностей інтенсивності свічення опромінених світлодіодів.
Виявлено, що введення радіаційних дефектів у світлодіодів InGaN електронами і у-квантами Со60, Cs137 супроводжується падінням інтенсивності випромінювання і, відповідно, зменшенням квантового виходу внаслідок виникнення глибоких безвипромінювальних рівнів, причому ефективність дії Y- квантів Со60~у 1,5 рази вища, ніж у-квантів Cs137
Досліджувались світлодіоди, вирощені на основі твердих розчинів InxGa1-
xN (х<0,1). Встановлено, що спектр випромінювання досліджуваних зразків при
300 °К складається з трьох смуг з Х1мах=370 нм (УФ), Х2мах=550 нм - (жовтої) та
^змах=770 нм - (червоної). Перша з них виникає внаслідок рекомбінаційних
переходів у квантових ямах; дві інші - дефектного походження. Дуплетна структура максимуму випромінювання УФ - смуги при 77 °К - наслідок фононного повторення основної лінії випромінювання. Опромінення електронами супроводжується падінням інтенсивності свічення всіх трьох смуг; виникнення максимума Хмах=420 нм очевидно пов’язане із введенням радіаційних дефектів в область квантових ям.
Опромінення електронами з Е = 2 МеВ світлодіодів InGaN/GaN приводить до падіння інтенсивності всіх трьох ліній у результаті введення безвипромінювальних рівнів як у активні області InGaN, так і у бар’єри GaN. На фоні загального зменшення інтенсивності рекомбінації виникає додатковий максимум з Хмах=470 нм, спричинений присутністю у зразку дефектів радіаційного походження.
Дата реєстрації
2024-09-19
Додано/оновлено в НРАТ
2024-09-19 / 2026-07-01
