Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0825U003061, Дисертація доктора філософії На здобуття Доктор філософії Дата захисту 24-07-2025 Статус Наказ про видачу диплома Назва роботи Електронні та структурні властивості поверхонь кристалічних халькогенідів індію. Здобувач Макар Тарас Романович, Керівник Галій Павло Васильович Опонент Семчук Олександр Юрійович Опонент Коцюбинський Володимир Олегович Рецензент Оленич Ігор Богданович Рецензент Карбовник Іван Дмитрович Опис У дисертаційній роботі досліджено процеси формування індієвих наноструктур на поверхнях сколювання шаруватих халькогенідних напівпровідників In4Se3 та InTe. Розглянуто можливість використання поверхонь (100) In4Se3 та (001) InTe як природних наноструктурованих матриць для створення наносистем In⁰/ In4Se3 та In⁰/InTe. У межах дослідження застосовано ультрафіолетову (УФЕС) та X-променеву (ХФЕС) фотоелектронну спектроскопію, скануючу тунельну мікроскопію/спектроскопію (СТМ/СТС), а також моделювання в рамках теорії функціонала електронної густини (DFT-GGA). Проведено розрахунок електронно-енергетичної структури для In4Se3. Оцінено електронно-енергетичну структуру та елементно-фазовий склад поверхонь сколювання до і після очищення, в результаті впливу іонного бомбардування та термообробки на поверхню. Встановлено, що іонне розпилення змінює стехіометрію та електронну густину станів поверхні, а найбільш достовірну інформацію про електронно-енергетичну структуру поверхні можна отримати для атомарно чистих поверхонь, які не піддаються тривалій експозиції у надвисокому вакуумі. Досліджено поверхню InTe після сколювання ex situ, на якій виявлено оксидні фази й органічні забруднення. Ефективним методом очищення є іонне розпилення, що, втім, супроводжується змінами стехіометрії поверхні. Уперше реалізовано створення 0D наносистем In⁰ на поверхні (001) InTe за допомогою термічно активованого вторинного твердотільного змочування. Встановлено, що густина електронних станів у забороненій зоні InTe зростає зі збільшенням кількості індію, що корелюється із збільшенням кількості металічного індію на поверхні. Для поверхні (100) In4Se3 запропоновано новий підхід до створення 1D наносистем In⁰ через контрольоване іонне розпилення. Виявлено орієнтацію лінійних наноструктур уздовж борозен на поверхні та можливість формування структур із чіткими геометричними параметрами. Досліджено кінетику росту індієвих наноструктур на обох підкладках. Показано, що ріст відбувається за механізмом Фольмера–Вебера, а послідовність процедур нанесення та нагріву впливає на морфологію покриття. Практична цінність роботи полягає в запропонованих технологіях формування стабільних наноструктур без необхідності попередньої обробки підкладки. Результати є перспективними для застосування в наноелектроніці, зокрема при створенні транзисторів, сенсорів, фотонних пристроїв та контактів на бар’єрі Шотткі. Таким чином, проведене дослідження сприяє глибшому розумінню процесів самоорганізації на атомному рівні та відкриває нові можливості в інженерії функціональних наносистем. Дата реєстрації 2025-07-21 Додано в НРАТ 2025-07-21 Закрити