Реєстраційний номер
0825U003274, Дисертація доктора філософії
На здобуття
Доктор філософії
Дата захисту
16-09-2025
Статус
Наказ про видачу диплома
Назва роботи
Метод кількісного оцінювання якості параметрів сонячної батареї
Здобувач
Кирисов Ігор Геннадійович,
Керівник Буданов Павло Феофанович
Опонент Дядюра Костянтин Олександрович
Опонент Рудик Юрій Іванович
Рецензент Грінченко Ганна Сергіївна
Рецензент Мельников В'ячеслав Євгенович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна
Опис
Об'єктом дослідження є – процес кількісного оцінювання якості параметрів структури сприймаючої поверхні напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача сонячної батареї.
Предметом дослідження є метод кількісного оцінювання якості параметрів структури сприймаючої поверхні фотоелектричного перетворювача сонячної батареї.
Метою дослідження є кількісне оцінювання якості властивостей структури сприймаючої поверхні напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача для підвищення точності, стабільності та лінійності вольт-амперної (вольт-ватної) характеристик сонячного елемента, шляхом розробки методу кількісного оцінювання параметрів реальної площі сприймаючої поверхні рельєфу напівпровідникового шару сонячного елементу із застосуванням обчислювального апарату фрактальної геометрії.
Наукова новизна одержаних результатів.
Вперше розроблена геометрична модель сприймаючої поверхні напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача, в якій розглянуті фізичні процеси, котрі відбуваються, при зміні властивостей зовнішньої та внутрішньої структури сприймаючої фрактальної поверхні напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача за наявності локальних неоднорідностей, мікропор і макротріщин, що дозволяє врахувати точність вимірювання електрофізичних параметрів: струму короткого замикання, напруги холостого ходу, величини вихідної потужності та коефіцієнту корисної дії, шляхом урахування зміни величини площі сприймаючої поверхні на основі використання апарату фрактальної геометрії
Набули подальшого розвитку вдосконалені аналітичні вирази для кількісної оцінки якості параметрів моделі фотоелектричного перетворювача, які на відміну від відомих дозволяють врахувати степеневу залежність реальної площі сприймаючої поверхні, від зміни величини фрактальної розмірності в об'ємній структурі по всій товщині напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача
Удосконалено метод кількісного оцінювання якості параметрів фотоелектричного перетворювача, який на відміну від відомих, дозволив врахувати підвищення точності, стабільності та лінійності вольт-амперної (вольт-ватної) характеристик на основі вимірювання величини фрактальної розмірності, яка характеризує зміну властивостей структури реальної площі сприймаючої поверхні напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача, а також призводить до зміни вихідної потужності та коефіцієнту корисної дії.
У вступі наведено загальну характеристику дисертаційного дослідження, його актуальність, відповідність науковим темам, визначено наукову новизну та практичне значення результатів дисертації, а також предмет та об’єкт дослідження, сформульовано мету та задачі наукового дослідження, показано зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами, наведено дані про апробацію результатів та публікації.
Перший розділ роботи присвячений аналізу моделей та методів кількісного оцінювання якості параметрів сонячних батарей. Показано, що вплив зовнішніх і внутрішніх факторів викликають ушкоджуючі дефекти на сприймаючій поверхні напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача.
Другий розділ присвячений моделюванню процесів, які відбуваються у сприймаючій поверхні напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача. Розроблена та запропонована геометрична модель сприймаючої поверхні фотоелектричного перетворювача для кількісної оцінки якості параметрів сонячного елемента, на основі застосування апарата фрактальної геометрії.
У третьому розділі були проведені експериментальні дослідження сприймаючої поверхні фотоелектричного перетворювача за допомогою фрактального методу кваліметрії, які підтвердили залежність реальної площі сприймаючої поверхні фотоелектричного перетворювача від отриманих розрахунків величини фрактальної розмірності.
Четвертий розділ присвячений практичному впровадження кваліметричного методу кількісного оцінювання параметрів сонячних батарей при експлуатації сонячної електростанції. Запропоновано систему безперервного моніторингу, в режимі реального часу, параметрів сонячної батареї для АРМо АСУ СЕС для виявлення дефектів в структурі сприймаючої поверхні напівпровідникового шару фотоелектричного перетворювача.
Дата реєстрації
2025-08-04
Додано/оновлено в НРАТ
2025-08-04 / 2026-07-01
