Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2105U000255, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Implantation of Ta Ions Into a Copper Single Crystal (100) And (111) Автор Дата публікації 01-01-2005 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/684 Видання Publisher SSU Опис Приведены данные исследования высокодозной (до 1017 см-2) имплантации ионов тантала в монокристаллы меди. Облучаемые медные кристаллы имели 2 различные ориентации: (100) и (111). Максимальная концентрация атомов Та 5 ат. % была обнаружена в Си (100). Концентрация Tа в Cu (111) после облучения составляла только 1 ат. %. Имплантация Та сопровождалась поверхностной карбидизацией и оксидированием. Атомы углерода и кислорода осаждались из остаточной атмосферы камеры имплантера. Концентрация атомов углерода и кислорода на поверхности достигла 50 ат. %. Микротвердость облученных образцов примерно на 30 процентов выше, чем необлученных образцов. Также было обнаружено увеличение коррозионной стойкости для имплантированных кристаллов. High-dose implantation (up to 1017 cm-2) of tantalum ions into a copper single crystal has been investigated. Irradiation of the copper crystals was performed in two different planes: (100) and (111). The maximum concentration of the tantalum atoms 5 at. % was observed for sample Cu (100). The Ta concentration in the Cu (111) surface after irradiation was only 1 at.%. Tantalum implantation was accompanied by surface carbonization and oxidation. Carbon and oxygen atoms were presented in the residual atmosphere of vacuum camber. The concentration of carbon and oxygen atoms on the surface reached 50 at. %. The microhardness of irradiated samples was ~ 30% higher than for untreated one. Also corrosion resistance enhancement was observed for implanted crystal. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/684 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити