Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2107U000585, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films Автор Дата публікації 01-01-2007 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30134 Видання V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics Опис With the use of expressions obtained from the “first principles”, the ensemble of point defects was calculated, and the location of a Fermi level in undoped cadmium telluride single crystals and thin films depending on physico-technological conditions of their fabrication and annealing is determined. The model in use accounts the most complete spectrum of defects in chalcogenide, including defects in the cadmium and tellurium sublattices, and the existence of an antistructural defect on the cadmium sublattice. Calculations of the concentration of neutral and charged defects are realized for two extreme cases – full equilibrium and quenching. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/30134 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити
Матеріали
Стаття
Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films
Calculation of Fermi level location and point defect ensemble in CdTe single crystal and thin films : публікація 2007-01-01; Сумський державний університет, 2107U000585
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку