Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2108U000383, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Исследование физических процессов в аморфных кремниевых пленках при различной концентрации водорода в плазме Автор Дата публікації 01-01-2008 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9589 Видання Изд-во СумГУ Опис Представлены результаты исследования влияния концентрации водорода в аргоново-водородной плазме на электрические и оптические свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных методом магнетронного распыления при площади до 30 см2. Значения оптической ширины запрещенной зоны и энергии активации, выращенных гидрированных полупроводниковых слоев, увеличились от 1,69 эВ до 1,75 эВ и от 0,15 эВ до 0,25 эВ, соответственно. Однако, увеличение водорода в кремниевой структуре привело к размытию спектра и уменьшению коэффициента поглощения. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9589 Researches and presented influence of various concentration of hydrogen in argon-hydrogen plasma on electric and optical properties of the tapes of hydrogenated amorphous silicon, received by method magnetron dispersions are submitted at the area of film up to 30 sm2. Values of optical width of the forbidden zone and energy of the activation, the brought up hydrogenated semi-conductor layers, have increased from 1,69 eV till 1,75 eV and from 0,15 eV till 0,25 eV, accordingly. However, the increase in hydrogen in silicon structure has led to to degradation of a spectrum and reduction of factor of absorption. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9589 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити