Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2108U000502, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Центри люмінесценції із смугами 4,4 еВ ТА 2,7 еВ в системі SiO2:ncSi-Si Автор Дата публікації 01-01-2008 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9604 Видання Вид-во СумДУ Опис Досліджувалась електролюмінесценція в системі SiO[2]:ncSi-Sio[2], утвореній в інтервалі доз імплантації Si[+] 10[16]-4*10[17] см.[-2] та за температурою відпалу 1000С. Виявлені смуги електролюмінесценції 1,6 eB, 2,7 eB, 4,4 eB та їх зв'язок з видами радіаційних дефектів. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9604 Додано в НРАТ 2025-03-31 Закрити
Матеріали
Стаття
Центри люмінесценції із смугами 4,4 еВ ТА 2,7 еВ в системі SiO2:ncSi-Si
Центри люмінесценції із смугами 4,4 еВ ТА 2,7 еВ в системі SiO2:ncSi-Si : публікація 2008-01-01; Сумський державний університет, 2108U000502
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку