Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2108U000675, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Гігантський магнеторезистивний ефект у магнетних полікристалічних мультишарах Автор Дата публікації 01-01-2008 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/548 Видання Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Опис Within both the Mott approximation for ferromagnetic metals and the modified Mayadas-Shatzkes model, the giant magnetoresistance effect in magnetic polycrystalline multilayers with ultrathin spacers is investigated. With the general and simple asymptotic formulas obtained, the amplitude of effect caused by the asymmetry of both the spin-dependent interface scattering of electrons and the spin-dependent transmission of electrons between the adjacent magnetic layers is estimated. The conditions, under which the effect changes the sign, are revealed, and the grain-boundary scattering influence on the giant-magnetoresistance effect amplitude is investigated too. З використанням Моттового наближення для феромагнетних металів у рамках модифікованого моделю Маядаса та Шацкеса проаналізовано гігантський магнеторезистивний ефект (ГМРЕ) у полікристалічних магнетних мультишарах з ультратонкими спейсерами. Одержано загальний та наближені вирази, за допомогою яких можна оцінити величину амплітуди ефекту, обумовленого асиметрією зерномежового та інтерфейсного спін-залежного розсіяння електронів. Виявлено умови, за яких відбувається зміна знаку ефекту, та досліджено вплив розсіяння носіїв заряду на межах зерен на амплітуду ГМРЕ. // Русск. версия: С использованием приближения Мотта для ферромагнитных металлов в рамках модифицированной модели Маядаса и Шацкеса проанализирован гигантский магниторезистивный эффект (ГМРЭ) в поликристаллических магнитных мультислоях с ультратонкими спейсерами. Получено общее та приближенные выражения, с помощью которых можно оценить амплитуду эффекта, обусловленного асимметрией зернограничного и интерфейсного спин-зависимого рассеяния электронов. Найдены условия, при которых происходит изменение знака эффекта, и исследовано влияние рассеяния носителей заряда на границах зерен на ГМРЭ. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/548 Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити