Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2109U000515, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Electrophysical and structural properties of n-ZnS/p-CdTe heterojunctions Автор Дата публікації 01-01-2009 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3599 Видання Вид-во СумДУ Опис В роботі проведено дослідження електрофізичних та структурних властивостей плівкових гетеропереходів ZnS/CdTe одержаних методом сублімації в замкненому об’ємі при різних умовах конденсації. В результаті визначені коефіцієнти ідеальності гетеропереходів, струми насичення, висоту потенціальних бар‘єрів та механізми струмо-перенесення через гетеросистеми. Структурні дослідження дозволили встановити тип текстури плівок, їх фазовий склад, період кристалічної решітки матеріалів, а також залежність цих параметрів від технологічних умов отримання конденсатів. Показано, що на межі розділу гетеросистем отриманих при температурах підкладки Ts > 773 К утворюються тверді розчини з певним хімічним складом. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3599 Electrophysical and structural properties of ZnS/CdTe film heterojunctions obtained by the sublimation method in quasi-closed volume at different growth conditions have been studied in this work. As a result, the ideality factors, saturation currents, potential barriers and the charge-transport mechanisms of these heterostructures are found. Structural investigations allowed to determine the texture type of the films, their phase composition, the lattice parameters, and the dependence of these parameters on the growth conditions as well. Shown, that on the interface of heterosystems obtained at the substrate temperatures Ts > 773 Ê the solid solutions with certain chemical composition are formed. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/3599 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити