Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2109U000546, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Synopsis Назва роботи Фізичні процеси в чутливих елементах датчиків температури, деформації і тиску Автор Дата публікації 01-01-2009 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/636 Видання Сумський державний університет Опис Pazukha I.M. Physical processes in sensing element of temperature, strain and pressure sensors. – Manuscript. Thesis for a Doctor of philosophy degree (Ph. D.) in physics and mathematics on specialty 01.04.01 – Physics of equipments, elements and systems. – Sumy State University, Sumy, 2009. The dissertation is devoted to features of physical properties in multilayer film systems on the base of Cu and Cr or Ag, Fe and Cr or Cu, which can use as temperature, gauge and pressure sensors sensing elements. The method of estimation interface scattering contribution in resistivity, temperature coefficient of resistance (TCR) and gauge factor total value was proposed. Contribution of volume, surface, grain boundary and interface electron scattering contribution in TCR and gauge factor was calculated. Appear that working characteristics of temperature, gauge and pressure sensing elements can be improved at the expense of interface scattering. Features of diffusion processes and phase state in double-layered thin film systems, which components have different mutual solubility, and problem of interface stability was studied. Key words: temperature, gauge and pressure sensors, multilayer film systems, temperature coefficient of resistance, gauge factor, interface scattering. Дисертація присвячена встановленню особливостей фізичних процесів у багатошарових плівкових системах на основі Cu і Cr або Ag та Fe і Cr або Cu, які можуть бути використані як чутливі елементи датчиків температури, деформації і тиску. Запропонована методика оцінки внеску інтерфейсного розсіювання електронів у загальну величину питомого опору, температурного коефіцієнту опору (ТКО) і коефіцієнта тензочутливості (КТ). Розраховано внесок об’ємного, поверхневого, зерномежевого та інтерфейсного розсіювання електронів у загальну величину ТКО та КТ і зроблено розрахунок статистичної ваги кожного з цих механізмів розсіювання електронів. Показано, що робочі характеристики чутливих елементів датчиків температури, деформації і тиску можуть бути покращені за рахунок інтерфейсного розсіювання. Проаналізовано особливості процесів дифузії та фазоутворення у двошарових плівкових системах, компоненти яких мають різну взаємну розчинність, і вивчено проблему стабільності інтерфейсів. // Русск. версия: Диссертация посвящена изучению особенности физических процессов в многослойных пленочных системах на основе Cu и Cr или Ag, Fe и Cr или Cu, которые могут быть использованы как чувствительные элементы датчиков температуры, деформации и давления. Проведен анализ влияния физических процессов на электрофизические свойства чувствительных элементов датчиков температуры, деформации и давления. Показано, что величина удельного сопротивления многослойных пленочных систем при термообработке и деформации зависит от действия, которое оказывают внешний и внутренний размерные эффекты. Среди процессов, связанных с электронным транспортом в тонкопленочных образцах, наименее изученным является интерфейсное рассеяние. В связи с этим была предложена методика, которая позволила не только определить вклад данного механизма в величину удельного сопротивления, ТКО, КТ, но и показать, что рабочие характеристики термо- и тензорезисторов могут быть улучшены за счет увеличения количества границ раздела. Показано, что стабильность работы датчиков неэлектрических величин в значительной степени зависит от процессов фазообразования и взаимной диффузии атомов. Методом рентгеновской рефлектометрии проведен анализ стабильности границ раздела для образцов, компоненты которых имеют различную взаимную растворимость. Установлено, что в системе Fe/Cr, в которой уже на стадии конденсации происходит образование твердого раствора по всему объему пленки, интерфейс более гладкий (σ @ 0,35 - 0,98 нм) по сравнению с системой Cu/Cr (σ @ 0,58-1,53 нм), в которой сохраняется индивидуальность отдельных слоев. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/636 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити