Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000254, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Fabrication Of ZnxCd1 – xSe Nanowires By CVD Process And Photoluminescence Studies Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9545 Видання Sumy State University Publishing Опис ZnxCd1 – xSe alloy nanowires with composition x = 0.2, 0.5 have been successfully synthesized by a simple thermal evaporation on the silicon substrate coated with a gold film of 20 Å thickness. The as-synthesized alloy nanowires, 70 - 150 nm in diameter and several tens of micrometer in length. The nanowires are single crystalline revealed from Transmission electron microscopy (TEM) and XRD measurement. The structure of ZnxCd1 – xSe nanowires are hexagonal wurtzite with [01-10] growth direction. Energy gap of the ZnxCd1 – xSe nanowires are determined from micro photoluminescence measurements. The energy gap increases with increasing Zn concentration. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9545 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити