Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000284, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Simulation of CIGS thin film solar cells using AMPS-1D Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22096 Видання Видавництво СумДУ Опис The solar cell structure based on copper indium gallium diselenide (CIGS) as the absorber layer, cadmium sulfide (CdS) as a buffer layer un-doped (i) and Aluminium (Al) doped zinc oxide (ZnO) as a window layer was simulated using the one dimensional simulation program called analysis of microelectronic and photonic structures (AMPS-1D). In the simulation, the thickness of CIGS layer was varied from 300 to 3000 nm. The rest of layer’s thicknesses were kept constant, viz. 60 nm for CdS, and 80 nm and 500 nm for i- and Al-ZnO, respectively. By varying thickness of CIGS layer the simulated device performance was demonstrate in the form of current-voltage (I-V) characteristics and quantum efficiency (QE). When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22096 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити