Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000323, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи A 2-D analytical threshold voltage model for symmetric double gate MOSFET's using green’s function Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27880 Видання Видавництво СумДУ Опис We propose a new two dimensional (2D) analytical solution of Threshold Voltage for undoped (or lightly doped) Double Gate MOSFETs. We have used Green’s function technique to solve the 2D Poisson equation, and derived the threshold voltage model using minimum surface potential concept. This model is assumed uniform doping profile in Si region. The proposed model compared with existing literature and experimental data and we obtain excellent agreements with previous techniques. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27880 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити