Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000337, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Schottky contact of gallium on p-type silicon Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22035 Видання Видавництво СумДУ Опис The evolution of barrier at Schottky contact and its stabilization to value characterized by the barrier height and unambiguous measurement is still being curiously perused as they hold the key control and manufacture of tailor made Schottky devices for a host of existing and potential for future applications in electronics, optoelectronics and microwave devices. In this context, gallium – silicon Schottky diode has been fabricated and analyzed. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22035 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити