Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000360, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи A study of Schottky barrier height inhomogeneity on In/p-Silicon Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22033 Видання Видавництво СумДУ Опис The current-voltage characteristics of In/p-Si Schottky diode measured over a temperature range of 120-360 K have been interpreted on the basis of thermionic emission across an inhomogenous Schottky contact. The experiment shows that the apparent barrier height be increases and ideality factor decreases from 0.26 eV and 6.36 at 120 K to 0.70 eV and 1.91 at 360 K respectively. The variation of effective Schottky barrier height and ideality factor with temperature has been explained considering lateral inhomogeneties at the metal-semiconductor interface. We have also discussed whether or not the junction current has been connected themionic field emission (TFE) mechanisms. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22033 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити