Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000440, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777 Видання Видавництво СумДУ Опис Показано, що за допомогою гіратронного опромінення можливо управлінням становищем р-п переходу у вже виготовленій світловипромінюючій структурі. Зрушення компенсованої області випромінюючої структури на основі GaAs:Si, обумовлене рухом домішок у полі термопружних напруг, що з'являються в процесі охолодження зразків після гіратронного опромінення. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити