Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000453, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Activation energy of polycrystalline silicon thin film transistor Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22010 Видання Видавництво СумДУ Опис The activation energy of a poly-Si thin film transistor is observed to be influenced by the grain size, trap state density and the inversion layer thickness. The present study aims to investigate these parameters theoretically so as to explore optimum conditions for the working of a polycrystalline silicon thin film transistor. Our computations have revealed that the activation energy decreases with the increase of gate bias for all values of grain size, trap states density and the inversion layer thickness. These findings are compared with the experimental results. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22010 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити