Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2111U000496, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Temperature dependence of 1/f noise in Gallium Nitride epitaxial layer Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22017 Видання Видавництво СумДУ Опис 1/f noise investigation was performed on n-GaN epitaxial layer grown on sapphire. The variation of spectral power density of voltage fluctuations density was observed as a function of frequency (100-50 Hz) and it showed the 1/f spectra. This type of behavior was attributed to the presence of traps. The variation in spectral power density of voltage fluctuations with temperature was also observed with in the temperature range 80 K and 300 K and it was found to be slightly increasing with temperature. It was attributed to the trapping-detrapping process of charge carriers by the defects. Four probe configuration was used for noise measurement and contacts were made with indium. To check the stability and ohmic behavior of contacts, I-V measurements were performed with in the temperature range 80-325 K. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/22017 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Temperature dependence of 1/f noise in Gallium Nitride epitaxial layer
Temperature dependence of 1/f noise in Gallium Nitride epitaxial layer : публікація 2011-01-01; Сумський державний університет, 2111U000496
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку