Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000533, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Pt-Ti/ALD-Al2O3/p-Si MOS capacitors for future ulsi technology Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/21998 Видання Видавництво СумДУ Опис The high dielectric constant (high-k) thin film of Al2O3 was deposited by using Plasma enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) technique. The electron beam evaporation system was used to deposit the Pt-Ti metal to fabricate the Pt-Ti/Al2O3/Si MOS capacitors. Thickness measurement of Al2O3 gate dielectric was carried out with variable angle spectroscopic ellipsometry, which is measured to be 2.83 nm. The MOS capacitors were characterized to evaluate the electrical properties using capacitance voltage (C-V) analyzer at different measurement frequencies. Capacitance voltage measurement shows that, dielectric constant k ranges from 7.87 to 10.44. In CV curve a slight negative shift is observed in the flatband voltage because of presence of trap charges in the Al2O3 MOS capacitor. A lower equivalent oxide thickness (EOT) of 1.057 nm is obtained for the fabricated Pt-Ti/Al2O3/Si MOS capacitors. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/21998 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити