Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2111U000571, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи High-k HfO2 based metal-oxide-semiconductor devices using silicon and silicon carbide semiconductor Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27891 Видання Видавництво СумДУ Опис In this paper we have calculated the flatband capacitance (CFB) for high-k dielectric material hafnia oxide (HfO2) as an insulator and silicon carbide (SiC) as a semiconductor material for metal-oxide-semiconductor (MOS) devices. We simulate the capacitance-voltage (C-V) characteristics of the MOS devices with ultrathin oxide using ATLAS, a commercially available TCAD tool from SILVACO. The tool has investigated the effect on C-V characteristics of different oxide thickness and doping concentration of SiO2 and HfO2 as insulators and Si and SiC as semiconductor based MOS devices. Excellent agreement was observed over a wide range of oxide thickness and substrate doping for the materials. The C-V characteristics of different polytype of SiC semiconductor also studied for n-type MOS devices. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27891 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
High-k HfO2 based metal-oxide-semiconductor devices using silicon and silicon carbide semiconductor
High-k HfO2 based metal-oxide-semiconductor devices using silicon and silicon carbide semiconductor : публікація 2011-01-01; Сумський державний університет, 2111U000571
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку