Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2111U000598, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Investigation of implantation-induced damage in indium phosphide for layer transfer applications Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27924 Видання Видавництво СумДУ Опис 100 keV H+ and He+ ion implantation was performed in 300 µm thick (100) InP substrates at liquid nitrogen temperature with a constant fluence of 1 × 1017 cm–2. The surface morphology of the as-implanted InP samples was studied by optical microscopy. The implantation-induced damage was investigated by cross-sectional TEM, which revealed the formation of damage band in both cases near to the projected range of implanted ions. The formation of hydrogen-induced nanocracks and helium filled nanobubbles was observed in as-implanted InP samples. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27924 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Investigation of implantation-induced damage in indium phosphide for layer transfer applications
Investigation of implantation-induced damage in indium phosphide for layer transfer applications : публікація 2011-01-01; Сумський державний університет, 2111U000598
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-04-08


Роздрукувати цю сторінку