Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000715, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Modeling of Threshold Voltage and Drain Current of Uniaxial Strained p-MOSFETs Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23714 Видання Видавництво СумДУ Опис An analytical model describing the threshold voltage and drain current in strained-Si p-MOSFETs as a function of applied uniaxial strain applied at the gate has been developed in this paper. The uniaxial stress has been applied through the silicon nitride cap layer. The results show that the threshold voltage falls and drain current rises due to applied uniaxial strain. The results have also been compared with the experimentally reported results and show good agreement. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23714 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити