Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2111U000719, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Control of the Parameters of GaAs:Si p-n Structures by Gyrotron Irradiation Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36013 Видання Sumy State University Опис It is shown that using gyrotron irradiation it is possible to control the p-n junction in an already fabricated light-emitting structure. Shift of the compensated region of emitting structure based on GaAs:Si is conditioned by the motion of impurities in the field of thermoelastic stresses appearing during cooling of the samples after gyrotron irradiation. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36013 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Control of the Parameters of GaAs:Si p-n Structures by Gyrotron Irradiation
Control of the Parameters of GaAs:Si p-n Structures by Gyrotron Irradiation : публікація 2011-01-01; Сумський державний університет, 2111U000719
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21


Роздрукувати цю сторінку